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基本半導體（BASiC）

基本半導體（BASiC）是中國第三代半導體企業(yè)，致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。對碳化硅器件的材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅(qū)動應用等方面進行研發(fā)，覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)，產(chǎn)品可應用于新能源發(fā)電、新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

產(chǎn)品詳情

基本半導體（BASiC）先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、首款國產(chǎn)通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、

車規(guī)級全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品，性能達到國際先進水平，應用于新能源、電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

QQ截圖20201103134308.png

碳化硅肖特基二極管
Product		Current	TO-220	TO-247-3	TO-247-2	TO-252-2	TO-263-2
650V	JBS	2A	B1D02065K			B1D02065E	B1D02065F
		4A	B1D04065K			B1D04065E	B1D04065F
		6A	B1D06065K			B1D06065E	B1D06065F
		8A	B1D08065K			B1D08065E	B1D08065F
		10A	B1D10065K			B1D10065E	B1D10065F
		15A	B1D15065K
		20A	B1D20065K	B1D20065HC
		20A		B1D20065HCA*
		30A		B1D30065HC
		40A		B1D40065HC
1200V	JBS	2A	B1D02120K			B1D02120E
		5A	B1D05120K			B1D05120E
		10A	B1D10120K	B1D10120HC	B1D10120H	B1D10120E
		15A	B1D15120K
		20A	B1D20120K	B1D20120HC	B1D20120H
		30A		B1D30120HC
		40A		B1D40120HC
		40A		B1D40120HCA*
1700V	JBS	3A			B1D03170H

碳化硅MOSFET
Product		Rds(on)	TO-263-7	TO-247-3	TO-247-4
1200V	MOSFET	160mΩ		B1M160120HC
		80mΩ		B1M080120HC
		40mΩ		B1M040120HC
		32mΩ		B1M032120HC
		18mΩ		B1M018120HC

車規(guī)級全碳化硅功率模塊
電壓 (V)	電流 (A)	電池電壓 (V)	電驅(qū)最大功率(kW)	并聯(lián)數(shù)量
1200V	200A	600V	60	1
			120	2
			180	3
		800V	80	1
			160	2
			240	3
1200V	300A	600V	90	1
			180	2
			270	3
		800V	120	1
			240	2
			360	3

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基本半導體（BASiC）

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